1) Magnitronning chayqalishi nazariyasi.
Maqsadli material yuzasiga o'rnatilgan doimiy magnitlar 250-350 gauss magnit maydonini hosil qiladi, bu esa yuqori kuchlanishli elektr maydoni bilan birlashtirilib, püskürtülmüş nishon qutbda (katod) va anodda ortogonal elektromagnit maydon hosil qiladi. Bu zarur inert gaz (odatda Ar gaz) bilan to'ldirilgan yuqori vakuum kamerasida amalga oshiriladi.Nishonga ma'lum miqdorda salbiy yuqori kuchlanish qo'shiladi, nishondan elektronlar magnit maydon ta'siriga va ionlanishga bo'ysunadi. ish gazining miqdori ortadi. Keyin katod yaqinida yuqori zichlikdagi plazma hosil bo'ladi, u erda Ar ionlari Lorents kuchi ta'sirida tezlashadi va nishon sirtini juda yuqori energiyali zarrachalar bilan bombardimon qilib, nishon yuzasiga qarab uchadi. mo'ljal impulsni o'zgartirish printsipiga yuqori aniqlik bilan amal qiladi, kinetik energiyani aylantirish printsipidan foydalangan holda, nishondagi purkalgan atomlar qatlamni joylashtirish uchun sirtdan va substrat tomon uchadi. Magnetronning püskürtülmesi ko'pincha ikki turga bo'linadi: doimiy to'lqinli oqim va radio chastotasi. DC purkash uskunasi oddiy asosda ishlaydi va metallarni tez sur'atda sochadi. Oksidlar, nitridlar va karbidlarni o'z ichiga olgan aralash materiallarni yaratish uchun ishlatiladigan reaktiv purkashdan farqli o'laroq, RF püskürtme kengroq foydalanish doirasiga ega va elektr o'tkazuvchanligiga qo'shimcha ravishda o'tkazmaydigan materiallarni ham sochishi mumkin. RF chastotasi oshirilganda, jarayon mikroto'lqinli plazma purkashga aylanadi. Hozirgi vaqtda elektron siklotron rezonansi (ECR) tipidagi mikroto'lqinli plazma püskürtmesi eng ko'p qo'llaniladi.
2) Magnetron purkash maqsadli turlari.
Metall, qotishma va keramik purkash uchun maqsadlarga metall, qotishma va keramik purkash uchun qoplama nishonlari, shuningdek, boridli keramik püskürtme nishonlari, karbid keramik püskürtme nishonlari, ftoridli keramik püskürtme nishonlari, nitridli keramik sepish nishonlari, nitridli keramik purkash nishonlari, keramik oksidli keramik purkash nishonlari kiradi. nishonlar, silitsidli keramika purkash maqsadlari, sulfidli keramik purkagich (InAs).
Tahrirlovchi ovozi, [2] Ilova sohalari
Biz hammamiz bilamizki, quyi oqim sanoatining nozik kino texnologiyasini rivojlantirish tendentsiyasi va maqsadli materiallar texnologiyasining rivojlanish tendentsiyasi bir-biri bilan chambarchas bog'liq, shuning uchun dastur sanoati nozik plyonkali komponentlar yoki mahsulotlar texnologiyasini ilgari surganligi sababli, maqsadli material texnologiyasi ham oldinga siljishi kerak. Ic ishlab chiqaruvchilari, misol sifatida. Yaqinda past qarshilikli mis simlarini ishlab chiqishga e'tibor qaratildi, bir necha yil ichida asl alyuminiy plyonka katta darajada almashtirilishi kutilmoqda, bu esa mis maqsadlarini va kerakli to'siq qatlami maqsadli materialini zudlik bilan ishlab chiqishni talab qiladi. Bundan tashqari, asl katod nurlari trubkasi (CRT) asosidagi kompyuter monitori va televizor bozori so'nggi yillarda asosan tekis panelli displeylar (FPD) bilan almashtirildi. Shuningdek, ITO maqsadlari uchun bozor va texnologik talabni sezilarli darajada oshiradi. Bundan tashqari, saqlash texnologiyasida. Yuqori zichlikli, yuqori sig'imli qattiq disklar va yuqori zichlikdagi qayta yoziladigan optik disklarga talab ortib bormoqda. Bularning barchasi natijasida dastur biznesida maqsadli materiallarga bo'lgan talab o'zgardi. Maqsadli materiallar uchun asosiy ilovalar ushbu ilovalarning rivojlanish tendentsiyalari bilan birga keyingi bo'limlarda muhokama qilinadi.
3) Mikroelektronika
Barcha amaliy sohalar ichida yarimo'tkazgich sanoati maqsadli püskürtme plyonkalari uchun eng qat'iy sifat standartlariga ega. Hozirda uzunligi 12 dyuymgacha bo'lgan (3{6}}0 epitod) silikon plastinalar ishlab chiqarilmoqda, garchi ulanish kengligi torayib bormoqda. Silikon gofret ishlab chiqaruvchilarning katta o'lchamlarga, yuqori tozalikka, ajratilganlikni kamaytirishga va mayda donaga bo'lgan talablari tufayli ishlab chiqarilgan maqsadlar yaxshiroq mikro tuzilishga ega bo'lishi kerak. Filmning yotqizilish tezligiga ta'sir qiluvchi muhim omil maqsadning bir xilligi va kristalli zarrachalar diametri ekanligi aniqlandi. Bundan tashqari, nishonning tozaligi plyonka tozaligiga sezilarli ta'sir ko'rsatadi. Maqsadli tozaligi 99,995 foiz (4N5) mis o'tmishda {{10} uchun yarimo'tkazgich ishlab chiqaruvchilarning ehtiyojlarini qondirish uchun etarli bo'lishi mumkin edi. }.35pm jarayoni, lekin bugungi kunda 0,25um jarayoni va hatto o'lchamagan qurilmalar uchun 0,18um art jarayoni 5 yoki hatto 6N yoki undan ko'proq maqsadli tozalikni talab qiladi. Mis alyuminiyga qaraganda kamroq qarshilikka ega va elektromigratsiyaga nisbatan kuchliroq qarshilikka ega! Supero'tkazuvchilar yondashuvi 0,25 um dan kichik bo'lgan mikron osti simni talab qiladi, ammo u misning organik dielektriklarga zaif bog'lanishi kabi qo'shimcha kamchiliklarga ega. Va tezkor javob berish, chipning mis konnektor liniyasining korroziyaga va sinishiga olib keladi.Bu muammolarni hal qilish uchun mis va dielektrik qatlam o'rtasida to'siq qatlamini yaratish kerak. Bloklovchi qatlam materiallarining ko'pchiligi metall va uning birikmalari uchun yuqori erish nuqtalari va yuqori qarshilikka ega, buning natijasida qatlam qalinligi 50 nm dan kam bo'lib, mis va dielektrik materiallar o'rtasida samarali yopishadi. Bloklash qatlami materialining mis va alyuminiy o'rtasidagi aloqasi aniq. Yangi maqsadli materiallarni yaratish kerak. misning blokirovka qatlami va maqsadli materiallar o'rtasida ulanishi Ta, W, TaSi, WSi va boshqalar. Shunga qaramay, Ta va W o'tga chidamli metallar mavjud. Ishlab chiqarishning qiyinligini hisobga olgan holda, tadqiqotchilar hozirda boshqa materiallar, jumladan, molibden, xrom va Tayvan oltinini qidirmoqdalar.
4) Tasvirlash uchun
Kompyuter monitorlari va televizorlar bozoriga asosan katod nurlari quvurlari (CRT) ko'rinishidagi tekis panelli displeylar (FPD) sezilarli darajada ta'sir ko'rsatdi, bu ham ITO maqsadlariga texnik va bozor ehtiyojini oshiradi. iTO maqsadlari bugungi kunda ikki xil turda mavjud. Ulardan biri indiy-qalay qotishma nishonidan foydalanishni o'z ichiga oladi, ikkinchisi esa aralashtirish va sinterlangan nano-davlat indiy oksidi va qalay oksidi kukunini o'z ichiga oladi. DC reaktiv püskürtme yordamida, indiy-qalay qotishma nishonlari ITO yupqa plyonkalari uchun ishlatilishi mumkin, ammo maqsadli sirt oksidlanadi va püskürtme tezligiga ta'sir qiladi va katta o'lchamdagi Tayvan oltin nishonlarini topish qiyin.
Hozirgi kunda L-IRF reaktiv püskürtme qoplama jarayoni odatda ITO maqsadlarini yaratish uchun ishlatiladi. Cho'kish tezligi tez. Va boshqa xususiyatlar qatorida plyonkaning qalinligi, yuqori o'tkazuvchanligi, yaxshi bir xilligi va substratga kuchli yopishishini aniq boshqarishi mumkin. Biroq, maqsadli material ishlab chiqarish qiyinchiliklarga duch kelmoqda, chunki indiy oksidi va qalay oksidini birlashtirish qiyin. Ko'pincha sinterlash qo'shimchalari sifatida ishlatiladigan ZrO2, Bi2O3 va CeO nazariy qiymatning 93% dan 98% gacha bo'lgan zichlikka ega bo'lgan maqsadlarni ishlab chiqishi mumkin. Qo'shimchalar shu tarzda tayyorlangan ITO plyonkalarining qanchalik yaxshi ishlashiga sezilarli ta'sir ko'rsatadi. 820 darajada eriydigan va sinterlash harorati 500 darajadan oshib ketganda allaqachon bug'lana boshlagan Bi2O3 yapon olimlari tomonidan qo'shimcha sifatida ishlatiladi. Bu suyuq fazali sinterlashdan foydalanganda nisbatan toza bo'lgan ITO maqsadini ishlab chiqarish imkonini beradi. Bundan tashqari, zaruriy oksid xomashyosi nanozarrachalar bo'lishi shart emasligi sababli zaruriy protsedura soddalashtirilgan. 2000 yilda Milliy taraqqiyotni rejalashtirish komissiyasi va Fan va texnologiyalar vazirligi tomonidan nashr etilgan "Axborot sanoatini rivojlantirishning dolzarb ustuvor yo'nalishlari bo'yicha qo'llanma"da ITO asosiy maqsadli materiali ham qayd etilgan.
5) ushlab turish uchun
CoFCu ko'p qatlamli kompozit plyonka bugungi kunda mashhur yirik magnitorezistiv plyonka tuzilishidir. Saqlash texnologiyasi sohasida yuqori zichlikli, yuqori sig'imli qattiq diskni ishlab chiqish katta miqdordagi magnito'tkazuvchan kino materiallarini talab qiladi. Hali ishlab chiqilayotgan TbFeCo qotishma maqsadli materialdan ishlab chiqarilgan magnit disklar yuqori saqlash imkoniyatiga ega, uzoq umr ko'rish va qayta-qayta tegmasdan artib turish qobiliyatiga ega. TbFeCo/Ta va TbFeCo/Al bugungi magnit disklarda qo'llaniladigan kompozit plyonka strukturasi qatlamlarini tashkil qiladi. TbFeCo/AI strukturasining Kerr burilish burchagi 58 ga, TbFeCofFa esa 0 dan past bo'lishi mumkin.8. Maqsadli materialning past magnit o'tkazuvchanligi va yuqori o'zgaruvchan tokning qisman tushirish kuchlanishi elektr rezistorlari sifatida harakat qilishi aniqlandi.
Germaniy surma telluridiga asoslangan faza o'zgarishi xotiralari (PCMs) NOR tipidagi flesh xotira texnologiyasi va DRAM bozorining tarkibiy qismi sifatida muhim tijorat salohiyatini namoyish etdi. Biroq, tezroq masshtablash uchun to'siqlardan biri, qayta tiklash oqimini yanada pasaytirish uchun ishlab chiqarilishi mumkin bo'lgan to'liq germetik hujayralarning etishmasligi. Ma'lumotlarga asoslangan, yuqori portativ iste'molchi uchun pastroq qayta o'rnatish oqimlari ma'lumotlar uzatish o'tkazuvchanligini oshirishi, batareyaning ishlash muddatini uzaytirishi va xotira quvvat sarfini kamaytirishi mumkin.
